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深圳市明佳達電子有限公司

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AI 處理器

電阻器網絡

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單價

操作

DD540N26K

產品說明:60mm,2600V,540A,整流二極管功率模塊

封裝:模塊
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT65R026M2H

產品說明:N 溝道 650 V 81A 碳化硅 MOSFET 晶體管

封裝:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT65R020M2H

產品說明:N 溝道 650 V 105A 碳化硅 MOSFET 晶體管

封裝:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD435N40K

產品說明:4000V、435A、整流二極管功率模塊

封裝:模塊
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C4042KV13-933FCXC

產品說明:72Mbit 并行 933 MHz 同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:361-FCBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C2644KV18-333BZXI

產品說明:144Mbit 333 MHz 同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:FBGA-165
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1361KVE33-133AXM

產品說明:9-Mbit 直通式同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXM

產品說明:18-Mbit 直通式同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD820N16KOF

產品說明:采用壓接技術的1600 V、60 mm晶閘管/二極管模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXI

產品說明:ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением

封裝:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD700N22KOF

產品說明:60 毫米晶閘管/二極管模塊,采用壓力觸點技術,電壓 2200 V

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1373KV33-100AXC

產品說明:18-Mbit 同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD570N16KOF

產品說明:60 毫米晶閘管/二極管模塊,采用壓力觸點技術,電壓 1600 V

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KV33-250AXC

產品說明:18-Mbit 同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD520N22KOF

產品說明:60 毫米晶閘管/二極管模塊,采用壓力觸點技術,電壓 2200 V

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KVE33-167AXM

產品說明:18-Mbit 同步 SRAM 存儲器 IC

封裝:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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