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AI 處理器

電阻器網絡

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NGW75T65H3DFQ

產品說明：650 V，75 A 溝槽型場截止IGBT，帶全額定硅二極管

封裝：TO-247-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
PSC2065JJ

產品說明：650V 20A SiC 肖特基二極管，采用 TO-263-2封裝

封裝：TO-263-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
PSC2065LQ

產品說明：650V 20A SiC 肖特基二極管，采用 TO-247-2 封裝

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

產品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i

封裝：CCPAK1212i
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

產品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A（Tc） 300W（Tc） CCPAK1212

封裝：CCPAK1212
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

產品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）

封裝：WLCSP-22
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

產品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A（Ta） 65W（Ta）VQFN

封裝：VQFN-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF060120D7A0J

產品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 38A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120L4A0Q

產品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120D7A0J

產品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF030120D7A0J

產品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 67A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120D7A0J

產品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 33A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120L4A0Q

產品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 35A（Tc） 183W（Tc） TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
PSMN2R3-100SSEJ

產品說明：采用 LFPAK88 的 N 溝道 100 V、2.3 mOhm MOSFET，具有增強型 SOA

封裝：LFPAK88
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120L3A0Q

產品說明：1200V、80mΩ、N 溝道 SiC MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120L3A0Q

產品說明：1200V、40mΩ、N 溝道 SiC MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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