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AI 處理器

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A2T27S020GNR1
NXP

產品說明:射頻 MOSFET 晶體管 Airfast 射頻功率 LDMOS 晶體管 400-2700 MHz,平均 2.5 W,28 V

封裝:TO-270G-2
10起
4438
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TAV1-331NM

產品說明:50Ω 超低噪聲 D-PHEMT 晶體管

封裝:SMD
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26S008NT6
NXP

產品說明:Airfast 射頻功率 GaN 晶體管

封裝:DFN-6
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2160D

產品說明:RF JFET 晶體管 1.60mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2120D

產品說明:RF JFET 晶體管 1.20mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2080D

產品說明:RF JFET 晶體管 0.80mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2060D

產品說明:RF JFET 晶體管 0.60 mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2040D

產品說明:RF JFET 晶體管 0.40 mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2025D

產品說明:RF JFET 晶體管 0.25 mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2018D

產品說明:RF JFET 晶體管 0.18 mm GaAs pHEMT

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD0020

產品說明:DC - 6 GHz, 35 W, 48 V GaN射頻功率晶體管

封裝:QFN-20
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD0007

產品說明:DC - 5 GHz, 20 W, 48 V, GaN射頻晶體管

封裝:DFN-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GTVA262701FA-V2-R2

產品說明:RF JFET 晶體管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

封裝:H-87265J-2
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RF5L052K0CB4
ST

產品說明:2000 W, 50 V, HF to 500 MHz 射頻晶體管

封裝:D4E
10起
1222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RF5L05500CB4
ST

產品說明:550 W, 50 V, HF to 250 MHz 射頻LDMOS晶體管

封裝:LBB
10起
1222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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