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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類(lèi)

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

單價(jià)

操作

IGLD65R080D2

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管

封裝：PG-LSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-VSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3，1.8 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3，1.3 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 43 A ?200 V G3，6.7 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 71 A ?120 V G3，2.7m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S101

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-VSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB070S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3，5 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGK080B041S

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 雙向開(kāi)關(guān) 40 V G3，6 mΩ

封裝：WLCSP-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

產(chǎn)品說(shuō)明：650V，CoolGaN? G5 系列 - GaN 功率晶體管，PG-TSON-8

封裝：PG-TSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-TR

產(chǎn)品說(shuō)明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-MR

產(chǎn)品說(shuō)明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-2-L-MR

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 650V，18A，GaN E-模式，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-2-L-TR

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 650V，11A，GaN E-mode，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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