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STGE200NB60S意法半导体利用基于专利带状布局的最新高压技术，设计出了先进的 IGBT 系列，即PowerMESH™ IGBT 系列性能。后缀 "S "代表该系列经过优化，可实现极低的 VCE(sat)。STGE200NB60S具有高输入阻抗（电压驱动），低导通压降（Vcesat），关断损耗包括尾流，低栅极电荷，高电流能力。

产品属性

IGBT 类型：-

配置：单路

电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 A

功率 - 最大值：600 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，100A

电流 - 集电极截止（最大值）：500 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)：1.56 nF @ 25 V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：ISOTOP

应用

• 低频电机控制器

• 铝焊接设备

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。