商品名称：STGWA80H65DFBAG
数据手册：
STGWA80H65DFBAG.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：TO-247-3
货期：全新原装
库存数量：1000 件
STGWA80H65DFBAG是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT。该器件是新型 HB 系列 IGBT 的一部分。此外，该器件的 VCE（饱和）温度系数略微为正，参数范围非常小。温度系数和非常紧密的参数分布，使并联运行更加安全运行。
产品属性
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
功率 - 最大值：535 W
开关能量：3.26mJ（开），2.33mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：453 nC
25°C 时 Td（开/关）值：-/360ns
测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：64 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 长引线
应用
• 全功率变流器
• 高频转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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VN7050ASTR 采用意法半导体专有的VIPower M0-7技术制造，为单通道高侧驱动器，于SO-8封装中。电话咨询：86-755-83294757
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