STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術(shù)，確保在開關性能和低導通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導通時的電壓降（VCE(sat)）較低，且沒有交叉?zhèn)鲗У南右?，恢復特性非常軟且快?。其技術(shù)規(guī)格和應用領域如下：

技術(shù)規(guī)格

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：30 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A

功率 - 最大值：65 W

開關能量：31.8μJ（導通），95μJ（關斷）

輸入類型：標準

柵極電荷：19.2 nC

25°C 時 Td（開/關）值：14.2ns/72ns

測試條件：390V，5A，10歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：22 ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：D2PAK-3

應用領域

STGB10NC60HDT4適用于以下應用場景：

高頻電機控制?：由于其快速的開關性能，適用于高頻電機控制。

SMPS和PFC?：在硬開關和共振拓撲中表現(xiàn)優(yōu)異。

電機驅(qū)動?：用于電機驅(qū)動器中，提供高效的電機控制。

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