IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，專為高電流和高電壓應用設計。該器件采用 N 通道結構，具有低導通電阻（RDS(on)）和高電流處理能力，適用于多種電源管理和功率轉換場景。
IXFX230N20T產品屬性
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 230 A
Rds On-漏源導通電阻: 7.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 358 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.67 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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