欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

IQDH35N03LM5CGSC（N-通道功率 MOSFET 晶体管）：OptiMOS™ 功率 MOSFET 30V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)。

概述：

IQDH35N03LM5CGSC - 功率 MOSFET 晶体管，具有 0.35 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散热性能，便于管理功率损耗。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率要高出五倍。这就为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。

IQDH35N03LM5CGSC 优势：

传导损耗最小

降低电压过冲

提高最大电流能力

快速开关

需要并联的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

散热性能提高

易于热管理

最佳开关性能

行业标准封装

IQDH35N03LM5CGSC - 产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Ta），700A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.35 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.46mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：114 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18000 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），278W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-WHSON-8-U02

封装/外壳：8-PowerWDFN

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

• 2.公司商品都是原装正品吗？

  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

• 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

• 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

• 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

• 6.公司能开发票吗？

  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。