F1912NCGI8屬于 Glitch-FreeTM DSA 系列，采用單片硅芯片結構，采用緊湊型 4mm x 4mm 20 引腳 QFN 封裝，具有極高的可靠性。 硅設計具有極低的插入損耗和低失真（> +60 dBm IP3I）。該器件具有精確的精度，可在 400 nsec 內穩(wěn)定到最終衰減值。 最重要的是，F1912 采用了 IDT 的 Glitch-FreeTM 技術，從而降低了 MSB 轉換期間的過沖和振鈴。

特性

串行和 6 位并行接口

31.5dB 控制范圍

0.5dB 階躍

無 Glitch-FreeTM、低瞬態(tài)過沖

衰減誤差 < 0.22 dB @ 2 GHz

低插入損耗 < 1.4 dB @ 2 GHz

超線性 >+63 dBm IP3I

500 ns 開關速度

溫度條件下穩(wěn)定的積分非線性度

3.0 V 至 5.25 V 電源

1.8 V 或 3.3 V 控制邏輯

工作溫度為 -55°C 至 +105°C 

4mm x 4mm 20 引腳薄型 QFN 封裝

低電流消耗 550μA typ

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